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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

O fornecedor do ponto em China, TECNOLOGIA CO. de YJDN, Ltd foi estabelecido em 2008. Um dos distribuidores os maiores dos componentes eletrônicos em Hong Kong e em Shenzhen, China.YDJN fornece uma s

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Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A do transistor do semicondutor SPW35N60C3 do poder de IGBT CoolMOS

Categorias de Produtos

CIs de Circuitos Integrados

 [2722]

Memória IC Chip

 [2976]

Isolador análogo IC

 [2489]

Microcontroladores e processadores encaixados

 [2668]

Transistor de efeito de campo

 [1586]

Módulo de potência IGBT

 [963]

Triode do diodo

 [291]

Capacitor de uso geral

 [40]

Os conectores interconectam

 [83]

Indutor do poder de SMD

 [96]

Componente do relé

 [112]

Fusíveis da proteção de circuito

 [178]
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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País / Região:china
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China Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A do transistor do semicondutor SPW35N60C3 do poder de IGBT CoolMOS wholesale
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Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A do transistor do semicondutor SPW35N60C3 do poder de IGBT CoolMOS
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Canal de Vídeo
Number modelo :SPW35N60C3
Quantidade de ordem mínima :Negociável
Termos do pagamento :T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :Quantidade disponível 30000 partes
Prazo de entrega :Negociável
Modelo do produto :NGTB40N120SWG
Pacote do fornecedor :TO247-3
Breve descrição :IGBT CoolMOS
Categoria de produto :Módulo de potência IGBT
Áreas de aplicação :pilha de carregamento
Data de fabricação :Dentro de um ano
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Gama de produtos
  • MOSFET discreto N-Ch 650V 34.6A TO247-3 dos semicondutores SPW35N60C3 de IGBT CoolMOS

Características do App

  • Tecnologia de alta tensão revolucionária nova
  • Carga ultra baixa da porta
  • A avalancha periódica avaliou
  • O dv extremo /dt avaliou
  • Capacidades eficazes ultra baixas
  • Transcondutância melhorada
Dados básicos
Atributo de produto Valor de atributo
Infineon
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Si
Através do furo
TO-247-3
N-canal
1 canal
600 V
34,6 A
100 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,1 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Realce
CoolMOS
Tubo
Tipo: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 10 ns
Transcondutância dianteira - minuto: 36 S
Altura: 21,1 milímetros
Comprimento: 16,13 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de elevação: 5 ns
Série: CoolMOS C3
240
Subcategoria: MOSFETs
Tipo do transistor: 1 N-canal
Tempo de atraso típico da volta-Fora: 70 ns
Tempo de atraso de ligação típico: 10 ns
Largura: 5,21 milímetros
Parte # pseudônimos: SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1
Peso de unidade: 0,211644 onças
FOLHA DE DADOS DA TRANSFERÊNCIA
  • MOSFET discreto N-Ch 650V 34.6A TO247-3 dos semicondutores SPW35N60C3 de IGBT CoolMOS
Aplicação
  • Amplamente utilizado na fase, concerto, uma comunicação da rede, Smartphones marca portáteis que os cadernos põem o Dongle das câmeras dos adaptadores
Processo da ordem

Adicione as peças ao formulário do RFQ Submeta o RFQ Nós respondemos dentro de 24 horas
Você confirma a ordem Pagamento Navio para fora sua ordem
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Chip Diagram

Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A do transistor do semicondutor SPW35N60C3 do poder de IGBT CoolMOSMosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A do transistor do semicondutor SPW35N60C3 do poder de IGBT CoolMOS

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