Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Configuração da ponte do módulo de poder 2270W do elevado desempenho IGBT 1mA meia

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrZhu
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Configuração da ponte do módulo de poder 2270W do elevado desempenho IGBT 1mA meia

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Quantidade de ordem mínima :1 parte
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :1000 partes pelo ano
Tempo de entrega :1-3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :Embalagem padrão da fábrica
Estado da parte :Ativo
Atual - coletor (CI) :300A
Atual - interrupção do coletor :1mA
Pacote do dispositivo do fornecedor :Módulo
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Estado da parte Ativo  
Tipo de IGBT -  
Configuração Meia ponte  
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V  
Atual - coletor (CI) (máximo) 300A  
Poder - máximo 2270W  
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.25V @ 15V, 300A  
Atual - interrupção do coletor (máxima) 1mA  
Capacidade entrada (Cies) @ Vce 30nF @ 10V  
Entrada Padrão  
Termistor de NTC Não  
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Montando o tipo Montagem do chassi  
Pacote/caso Módulo  
Pacote do dispositivo do fornecedor Módulo
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