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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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transistor de poder do mosfet

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
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 transistor de poder do mosfet
China Frequência do transistor de poder 50V do Mosfet de BLF178XR 28dB 40mA 108MHz for sale

Frequência do transistor de poder 50V do Mosfet de BLF178XR 28dB 40mA 108MHz

Mosfet LDMOS de BLF178XR RF (duplo), fonte comum 50V 40mA 108MHz 28dB 1400W SOT539A 1. 1 descrição geral De W LDMOS um transistor 1400 de poder ...
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China Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X for sale

Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X

FET internamente combinado da X-faixa do transistor de poder de FLM0910-25F RF DESCRIÇÃO O FLM0910-25F é um FET do GaAs do poder que esteja internamen...
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China Substituição de faixa larga do transistor do canal de MRF151G RF N para BLF278 for sale

Substituição de faixa larga do transistor do canal de MRF151G RF N para BLF278

Transistor 500W do efeito de campo do poder de MRF151G RF, 50V, substituição de faixa larga do MOSFET do N-canal 175MHz para BLF278 Características 1, ...
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China Transistor de poder do Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para amplificadores de poder superior do HF for sale

Transistor de poder do Mosfet de RD100HHF1 25A 12.5W para amplificadores de poder superior do HF

O tipo transistor do MOSFET RD100HHF1 projetou especificamente para aplicações dos amplificadores de poder superior do HF CARACTERÍSTICAS • Poder ......
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China Transistor de poder do Mosfet RA03M8087M-101 para o pacote do rádio portátil H46S for sale

Transistor de poder do Mosfet RA03M8087M-101 para o pacote do rádio portátil H46S

RA03M8087M-101 806-870MHz 3.6W 7.2V, 2 encenam o ampère. Transistor de poder do RF para o RÁDIO PORTÁTIL Descrição O RA03M8087M é um módulo do ......
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China Transistor de poder do Mosfet de RA30H1317M para o rádio móvel 135-175MHz 30W 12.5V for sale

Transistor de poder do Mosfet de RA30H1317M para o rádio móvel 135-175MHz 30W 12.5V

Transistor do Mosfet do poder de RA30H1317M para o uso de rádio móvel 135-175MHz 30W 12.5V DESCRIÇÃO O RA30H1317M é um módulo do amplificador do ......
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China Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF LDMOS for sale

Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF LDMOS

Mosfet LDMOS de MRFE6VP6300HR5 RF 50V (duplo) 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 Estes dispositivos altos da aspereza são projetados para o uso em VSWR ...
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China watt MRFE6VP5600HR5 do transistor LDMOS 600 do Mosfet de 100mA 230MHz RF for sale

watt MRFE6VP5600HR5 do transistor LDMOS 600 do Mosfet de 100mA 230MHz RF

Mosfet LDMOS de MRFE6VP5600HR5 RF 50V (duplo) 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230 Estes dispositivos altos da aspereza são projetados para o uso em VSWR .....
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China transistor de poder LDMOS do Mosfet de 50V 350mA 18 W MRF6V3090NBR1 22dB for sale

transistor de poder LDMOS do Mosfet de 50V 350mA 18 W MRF6V3090NBR1 22dB

Mosfet LDMOS 50V 350mA 860MHz 22dB 18W TO-272 WB-4 de MRF6V3090NBR1 RF Projetado para a transmissão e aplicações de faixa larga aeroespaciais ...
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China Transistor do carboneto de silicone do transistor de poder 175MHz de RD06HVF1 RF 6W para amplificadores for sale

Transistor do carboneto de silicone do transistor de poder 175MHz de RD06HVF1 RF 6W para amplificadores

RD06HVF1 RF POWER MOSFET Transistor de silício 175MHz 6W para aplicações de amplificadores Descrição de RD06HVF1 RD06HVF1 é um transistor tipo MOS FET ...
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