Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrZhu
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Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X

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Número de modelo :FLM0910-25F
Lugar de origem :JP
Quantidade de ordem mínima :1 parte
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10000 partes pelo ano
Tempo de entrega :1-2 dias úteis
Detalhes de empacotamento :embalagem padrão da fábrica
Tensão da Dreno-fonte :15V
Tensão da Porta-fonte :-5V
Dissipação de poder total :93.7W
Temperatura de armazenamento :-65 a +175℃
Temperatura do canal :175℃
Corrente máxima do dreno :16.2A
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A X-faixa do transistor de poder de FLM0910-25F RF internamente combinou o FET

 

DESCRIÇÃO

 

O FLM0910-25F é um FET do GaAs do poder que esteja internamente as faixas padrão de uma comunicação do matchedfor para fornecer o poder e o ganho os melhores em um 50Ωsystem

 


 

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Elevado desempenho do FET 93.7W do transistor do RF do poder superior da faixa de FLM0910-25F X 

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