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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Através de MOSFET 900V 6.7A 190W do NChannel da microplaqueta IRFPF50PBF de IC do circuito integrado do furo TO-247-3

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrZhu
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China Através de MOSFET 900V 6.7A 190W do NChannel da microplaqueta IRFPF50PBF de IC do circuito integrado do furo TO-247-3 wholesale
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Através de MOSFET 900V 6.7A 190W do NChannel da microplaqueta IRFPF50PBF de IC do circuito integrado do furo TO-247-3
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Número de modelo :IRFPF50PBF
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :Western Union, T/T, Paypal
Capacidade da fonte :consulta
Tempo de entrega :2-3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :pacote 50PCS/Standard
Tipo do FET :N-Canal
Drene à tensão da fonte (Vdss) :900V
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de operação :-55°C ~ 150°C
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