Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Através da microplaqueta de IC do circuito integrado do interruptor do furo, MOSFET do poder do canal de N 110 watts

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrZhu
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Através da microplaqueta de IC do circuito integrado do interruptor do furo, MOSFET do poder do canal de N 110 watts

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Número de modelo :STM32F051K6U6
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :50pcs
Termos do pagamento :Western Union, T/T, Paypal
Capacidade da fonte :consulta
Tempo de entrega :2-3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :pacote 50PCS/Standard
Tipo do FET :N-Canal
Drene à tensão da fonte :60V
Conduza a tensão :10V
Temperatura de operação :-55°C ~ 175°C
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MOSFET 60V 60A 110W do poder do N-canal STP65NF06 (Tc) com a aplicação do interruptor do furo

Descrição

Este MOSFET do poder é o desenvolvimento o mais atrasado do processo tira-baseado do tamanho de característica de STMicroelectronics “único” ™ original. O transistor resultante mostra a densidade de embalagem extremamente alta para o baixo onresistance, características ásperas da avalancha e etapas menos críticas do alinhamento consequentemente uma reprodutibilidade de fabricação notável.

Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 60A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (máximo) ±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1700pF @ 25V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 110W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C

 

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