Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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N canaliza a microplaqueta 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-272 MRF6V2150NBR1 de IC do circuito integrado do Mosfet LDMOS do RF

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrZhu
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N canaliza a microplaqueta 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-272 MRF6V2150NBR1 de IC do circuito integrado do Mosfet LDMOS do RF

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Número de modelo :MRF6V2150NBR1
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :2 pcs
Termos do pagamento :Western Union, T/T, Paypal
Capacidade da fonte :consulta
Tempo de entrega :2-3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :pacote 500PCS/Standard
freqüência :220MHz
Ganho :25dB
Saídas de potência :150W
Nível (MSL) da sensibilidade de umidade :3 (168 horas)
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Mosfet LDMOS 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-272 do RF do N-canal MRF6V2150NBR1

Descrição
Projetado primeiramente para aplicações da saída e do motorista do grande-sinal do CW com
frequências até 450 megahertz. Os dispositivos são ímpares e são apropriados para o uso dentro
aplicações industriais, médicas e científicas.
Características
• Proteção integrada do ESD
• Estabilidade térmica excelente
• Facilita o controle manual do ganho, o ALC e as técnicas da modulação
• pacote 200°C plástico capaz
• RoHS complacente
• Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 44 milímetros, carretel de 13 polegadas

Atributos de produto

Tipo do transistor LDMOS
Frequência 220MHz
Ganho 25dB
Tensão - teste 50V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 450mA
Saídas de potência 150W
Tensão - avaliado 110V

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