Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Tensão de saturação do módulo de poder 2MBI75N-060 da série 320W IGBT de N baixa

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrZhu
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Tensão de saturação do módulo de poder 2MBI75N-060 da série 320W IGBT de N baixa

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Número de modelo :2MBI75N-060
Quantidade de ordem mínima :1 parte
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10000 partes pelo ano
Tempo de entrega :2-3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :embalagem padrão da fábrica
Lugar de origem :JP
Tensão do Coletor-emissor :600V
Portão - Tensão do Emissor :20V
Dissipação de poder máxima :320w
Tensão do isolamento :2500V
Material :Metal
Tipo de conexão :Parafuso
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MÓDULO 600V 75A do DIODO do PODER de 2MBI75N-060 IGBT

MÓDULO de IGBT (série de N)
características de n
• Quadrado RBSOA
• Baixa tensão de saturação
• Menos dissipação de poder total
• Característica melhorada do FWD
• Indutância dispersa interna minimizada
• Função de limitação da sobrecarga (~3 vezes avaliaram a corrente)
aplicações de n
• Interruptor do poder superior
• A.A. controlos do motor
• C.C. controlos do motor
• Fonte de alimentação ininterrupta

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NÚMERO DA PEÇA MFG/BRAND   NÚMERO DA PEÇA MFG/BRAND
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PL611-01-F93TC-R PHASELIN   IS62WV51216BLL-55TLI ISSI
LM324AD SI   BCM20730A1KML2G BROADCOM
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MAX920ESA+T MÁXIMA   SAA6713H/V1 PHI
LM5070MTCX-50/NOPB NSC   QCA6174A-1-172BWLNSR-TR-OB-0 QUALCOMM
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CHA2069-99F/00 UMS   TFM-107-02-L-D-K-TR SAMTEC
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