45 padrão do IEC do transistor RA45H8994M1-101 do ampère de poder da fase do watt 12.8V 2

RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V, 2 encenam o ampère. Transistor do RF para o RÁDIO MÓVEL

DESCRIÇÃO

O RA45H8994M1 é um módulo do amplificador do MOSFET de um RF de 45 watts para os rádios móveis de 12,8 volts que se operam nos 896 - à escala 941-MHz. A bateria pode ser conectada diretamente ao dreno dos transistor do MOSFET do realce-modo. Sem a tensão 1 da porta e a tensão 2 da porta (VGG1=VGG2=0V), somente uma corrente pequena do escapamento flui no dreno e o sinal de saída nominal (Pout=45W) atenua DB até 60. Quando isto é 3.4V fixo, é fornecido à tensão 1 da porta, o aumento atual potência de saída e do dreno como a tensão 2 da porta aumenta. O aumento atual potência de saída e do dreno substancialmente com a tensão 2 da porta em torno de 0V (mínimo) sob a circunstância quando a tensão 1 da porta for mantida em 3.4V. O potência de saída nominal torna-se disponível no estado que VGG2 é 4V (típico) e 5V (máximo). Neste momento, VGG1 tem que ser mantido em 3.4V. Em VGG1=3.4V & em VGG2=5V, as correntes típicas da porta são 0.4mA. Este módulo é projetado para a modulação não-linear de FM, mas pode igualmente ser usado para a modulação linear ajustando a corrente quieta do dreno com as tensões da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada.

CARACTERÍSTICAS

1, transistor do MOSFET do Realce-modo (IDD≅0 @ VDD=12.8V, VGG1=VGG2=0V)

2, Pout>45W, ηT>33% @VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW

3, escala de frequência de faixa larga: 896-941MHz • Estrutura do tampão do metal que faz as melhorias da radiação do RF simples

4, controle IGG1+IGG2=0.4mA atual da baixa potência (tipo) @ VGG1=3.4V, VGG2=5V • Tamanho do módulo: 67 x 18 x 9,9 milímetros

5, operação linear são possíveis ajustando o dreno quieto atual com as tensões da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada.