Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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Transistor de poder 600V do Mosfet de IRFPC60PBF 16A através do furo TO-247-3

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrZhu
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Transistor de poder 600V do Mosfet de IRFPC60PBF 16A através do furo TO-247-3

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Número de modelo :IRFPC60PBF
Lugar de origem :CN
Quantidade de ordem mínima :30 partes
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10Kpcs pelo ano
Tempo de entrega :1-2 dias úteis
Detalhes de empacotamento :Tubos plásticos
Condição dos bens :Brand new
Estado da parte :Active
Sem chumbo/Rohs :Queixa
Função :MOSFET
Tipo da montagem :Através do furo
Pacote :TO247
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N-canal 600V 16A do TRANSISTOR do MOSFET de IRFPC60PBF (Tc) 280W (Tc) através do furo TO-247-3

CARACTERÍSTICAS
• Avaliação dinâmica de dV/dt
• Avalancha repetitiva avaliada
• Furo de montagem central isolado
• Interruptor rápido
• Facilidade da paralelização
• Exigências simples da movimentação
• Ligação (Pb) - disponível livre

DESCRIÇÃO
Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade. O pacote TO-247 é preferido para as aplicações comercial-industriais onde os níveis de poder mais alto impossibilitam o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado. Igualmente fornece a maior distância de dispersão entre os pinos para cumprir as exigências da maioria de especificações de segurança.

FabricanteVishay Siliconix
Série-
Empacotamento Tubo
Estado da parteAtivo
Tipo do FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C16A (Tc)
Conduza a tensão (RDS máximo sobre, o minuto o RDS sobre)10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @4V @ 250µA
Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs210nC @ 10V
Vgs (máximo)±20V
Capacidade (Ciss) da entrada (máximo) @ Vds3900pF @ 25V
Característica do FET-
Dissipação de poder (máxima)280W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs400 mOhm @ 9.6A, 10V
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo da montagemAtravés do furo
Pacote do dispositivo do fornecedorTO-247-3
Pacote/casoTO-247-3

Lista de outros componentes eletrônicos no estoque
NÚMERO DA PEÇAMFG/BRAND NÚMERO DA PEÇAMFG/BRAND
19409-002ONSEMI MAX6351LSUT-TMÁXIMA
R1211N002B-TR-FRICOH KA78M15FAIRCHILD
LP61256GS-12ELITEMT CY24745OXCCYPRESS
KSD880YTUFAIRCHILD AT91SAM7SE512-CUATMEL/ADESTO
IDT5T93GL-061PFIIDT MINISMDC150F/12-2TYCO
S2202ASYNAPTICS EXC28CH900UPANASONIC
NM-SM50+MINI ECT315ECT
MAX1482CPDMÁXIMA 293D106X9016C2TE3VISHAY
WRM0204C-47RFINA VK05CFLTR-EST
TC74HCT245AFTOSHIBA DS12C887+DALLAS
LH28F160BJE-BTL90AFIADO BA15218FROHM
DS75150MNS 24C02C-I/SNMIC
BCT3661BELT-TRBROADCHIP 1812CS-102XJLCTYCO
TS5A3167DCKRSI TLC320AC02CFNRSI
SSM3K05FUTOSHIBA ATMEGA32L-8ACATMEL/ADESTO
PIC16LC773/SSMICROCHIP AD807A-155BRRL7DDA
AME8815BEC330AME TK6A60W, S4VXTOSHIBA
TA8041FGTOSHIBA BGS14AN16 E6327INFINEO
MAX233AEWPMÁXIMA NTE0305MCMURATA
ADUC848BCPZ62-5DDA ME6209A36PGMICRONE
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