Montagem D2PAK da superfície do transistor 200V do Mosfet do canal de IRF640NSTRLPBF N

Tecnologia avançada de processos

Dv dinâmico / dt Classificação 175 ° C Temperatura de operação

Comutação rápida totalmente avalanche avaliado

Facilidade de Paralelismo

Requisitos simples de unidade

Descrição

Os MOSFETs de potência de quinta geração HEXFET® da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício. Esse benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto de dispositivo robusto pelos quais os MOSFETs de potência HEXFET são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações. O pacote TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações industriais comerciais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo de embalagem do TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em todo o setor. O D2Pak é um pacote de potência de montagem em superfície capaz de acomodar tamanhos de matrizes até HEX-4. Ele fornece a maior capacidade de energia e a menor resistência possível em qualquer pacote existente de montagem em superfície. O D2Pak é adequado para aplicações de alta corrente devido à sua baixa resistência de conexão interna e pode dissipar até 2,0W em uma típica aplicação de montagem em superfície. A versão através do orifício (IRF640NL) está disponível para aplicações de baixo perfil.