Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um

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Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
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Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um

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Number modelo :JDCD01-001-020
Lugar de origem :Suzhou China
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :10000pcs/Month
Prazo de entrega :3-4 dias da semana
Detalhes de empacotamento :Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 6 peças ou recipientes d
Nome do produto :carcaças autônomas de N-GaN de 2-polegada
Dimensões :50,0 ±0.3mm
Artigo :GaN-FS-C-N-C50-SSP
Espessura :400 ± 30μm
Aspereza de superfície da cara de N :0,5 ~1.5μm (único lado lustrado)
Plano da orientação :(1 - 100) ±0.1˚, ± 12,5 1mm
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Substratos de N-GaN independentes de 2 polegadas N Rugosidade da superfície da face 0,5 ~1,5 μm (lado único polido)

Substrato monocristal de GaN dopado tipo n com face C de 2 polegadas Resistividade < 0,05 Ω·cm Dispositivo de alimentação/wafer de laser


Visão geral
Esses wafers de GaN criam diodos de laser ultrabrilhantes sem precedentes e dispositivos de energia de alta eficiência para uso em fontes de luz de projetores, inversores para veículos elétricos e outras aplicações.
O nitreto de gálio também pode ser sintetizado pela injeção de gás amônia no gálio fundido a 900-980 °C à pressão atmosférica normal.

Substratos N-GaN independentes de 2 polegadas

Nível de produção (P)

Resouvidoh(R)

Fictício(D)

Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um

Observação:

(1) 5 pontos: os ângulos incorretos de 5 posições são 0,55 ± 0,15o

(2) 3 pontos: os ângulos incorretos das posições (2, 4, 5) são 0,55 ± 0,15o

(3) Área utilizável: exclusão de periferia e macro defeitos (buracos)

P+ P P-
Item GaN-FS-CN-C50-SSP
Dimensões 50,0 ±0,3 mm
Grossura 400 ± 30 μm
Orientação plana (1- 100) ±0,1o,12,5 ± 1 mm
TTV ≤ 15 μm
ARCO ≤ 20 μm
Resistividade (300K) ≤ 0,02 Ω·cm para tipo N (dopado com Si)
Ga rugosidade da superfície facial ≤ 0,3 nm (polido e tratamento de superfície para epitaxia)
N rugosidade da superfície da face 0,5 ~1,5 μm (lado único polido)
Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M (ângulos de corte incorreto)

0,55 ± 0,1o

(5 pontos)

0,55± 0,15o

(5 pontos)

0,55 ± 0,15o

(3 pontos)

Densidade de deslocamento de rosqueamento ≤ 7,5 x 105cm-2 ≤ 3 x 106cm-2
Número e tamanho máximo de furos em Ф47 mm no centro 0 ≤ 3@1000 μm ≤ 12@1500 μm ≤ 20@3000 μm
Área utilizável > 90% >80% >70%
Pacote Embalado em uma sala limpa em um único recipiente de wafer

Sobre nós

Nós nos especializamos no processamento de uma variedade de materiais em wafers, substratos e peças personalizadas de vidro óptico. Componentes amplamente utilizados em eletrônica, óptica, optoeletrônica e muitos outros campos.Também trabalhamos em estreita colaboração com muitas universidades nacionais e estrangeiras, instituições de pesquisa e empresas, fornecendo produtos e serviços personalizados para seus projetos de P&D.É nossa visão manter um bom relacionamento de cooperação com todos os nossos clientes por nossa boa reputação.

Perguntas frequentes

Q: você está negociando empresa ou fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é o seu tempo de entrega?
Geralmente leva de 3 a 5 dias se as mercadorias estiverem em estoque.
ou leva de 7 a 10 dias se as mercadorias não estiverem em estoque, é de acordo com a quantidade.
P: você fornece amostras?é gratuito ou extra?
Sim, podemos oferecer a amostra gratuitamente, mas não pagamos o custo do frete.
Q: Quais são as suas condições de pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% adiantado.
Pagadores >=5000USD, 80% T/T adiantado, saldo antes do envio.

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