Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Plataforma de aquisição profissional única da indústria de semicondutores, para fornecer-lhe produtos e serviços técnicos de qualidade e diversidade superiores

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
4 Anos
Casa / Produtos / GaN Epitaxial Wafer / Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um /

show pictures

Contate
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
Pessoa de contato:Xiwen Bai (Ciel)
Contate

Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um

Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um
  • Independente N GaN Substratos N Face Superfície Rugosa 0,5um a 1,5um
OS produtos detalhados
Substratos de N-GaN independentes de 2 polegadas N Rugosidade da superfície da face 0,5 ~1,5 μm (lado único polido) Substrato monocristal de GaN ...
Ver OS produtos detalhados →