Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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4 Anos
Casa / Produtos / SiC Epitaxial Wafer / Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm /

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Cidade:shanghai
Província / Estado:shanghai
País / Região:china
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Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm

Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm
  • Tipo N 6 polegadas 4H Substrato de carboneto de silício Comprimento plano primário 47,5 mm
OS produtos detalhados
Substrato 4H-SiC de 6 polegadas N-Type D Grau 350,0±25,0μm MPD≤5/cm2 Resistividade 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm para dispositivos de energia e micro-ondas Vis...
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