Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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Montagem de superfície componente eletrônica DFN1006BD-2 do diodo 85 V 325mA de BAS116LSYL

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Montagem de superfície componente eletrônica DFN1006BD-2 do diodo 85 V 325mA de BAS116LSYL

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Number modelo :BAS116LSYL
Quantidade de ordem mínima :50pcs
Capacidade da fonte :1000000 unidades
Tensão - CC reversa (Vr) (Máx) :85 V
Corrente - Média Retificada (Io) :325mA
Tensão - Direto (Vf) (Máx) @ Se :1,25 V @ 150 mA
Velocidade :=< rápido 500ns da recuperação, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :3 µs
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr :nA 5 @ 75 V
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Montagem de superfície DFN1006BD-2 do padrão 85 V 325mA do diodo de BAS116LSYL

Diodo do Baixo-escapamento de Nexperia BAS116LS-Q

O diodo do Baixo-escapamento de Nexperia BAS116LS-Q é abrigado (SOD882BD) em um pacote plástico Superfície-montado sem chumbo ultra-pequeno do dispositivo DFN1006BD-2 (SMD). O pacote tem flancos lado-wettable. A característica de BAS116LS-Q uma estadia de comutação de t máximorr = 3µs, e uma baixa corrente do escapamento do máximo. MimR = 5nA.

CARACTERÍSTICAS

  • Tempo de comutação t máximorr= 3µs
  • Máximo atual do baixo escapamento. MimR= 5nA
  • ≤ máximo repetitivo 85V da tensão reversa VRRM
  • Baixa capacidade C típicod= 2pF
  • pacote plástico Ultra-pequeno e sem chumbo de SMD
  • Apropriado para a inspeção ótica automática (AOI) da junção da solda
  • Qualificou de acordo com AEC-Q101 e recomendou para o uso em aplicações automotivos

APLICAÇÕES

  • aplicações atuais do Baixo-escapamento
  • Interruptor de uso geral
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