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O diodo do Baixo-escapamento de Nexperia BAS116LS-Q é abrigado (SOD882BD) em um pacote plástico Superfície-montado sem chumbo ultra-pequeno do dispositivo DFN1006BD-2 (SMD). O pacote tem flancos lado-wettable. A característica de BAS116LS-Q uma estadia de comutação de t máximorr = 3µs, e uma baixa corrente do escapamento do máximo. MimR = 5nA.