Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Módulo do transistor de IGBT

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 Módulo do transistor de IGBT

Módulo IXYH30N450HV 4500 V 60 A 430 W do transistor de TO-247HV IGBT através do furo

IXYH30N450HV IGBT pinta 4500 V 60 A 430 W através do furo TO-247HVIXYS IXYT30N450HV & IXYH30N450HV XPT™ IGBTsCaracterística de alta tensão de IX
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Trincheira IGBT 650V 80A 375W da parada de campo FGHL75T65MQDTL4 através do furo TO-247-4L

Parada de campo 650 V da trincheira de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 80 A 375 W através do furo TO-247-4Ltrincheira IGBTs do onsemi FGHL75T65MQDTx a trinche
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Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L

Parada de campo 1200 V da trincheira de FGH4L40T120LQD IGBT 80 A 306 W através do furo TO-247-4Lonsemi FGH4L40T120LQD IGBT o onsemi FGH4L40T120LQD
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Parada de campo IGBT da trincheira IXYX110N120B4 1200V 340A 1360W através do furo

IXYX110N120B4 IGBT 1200 V 340 A W 1360 através do furo PLUS247™-3 Atributo de produto Valor de atributo Atributo seleto
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Montagem de superfície TO-263HV do módulo 2500V 30A 150W do transistor de IXGA20N250HV IGBT

Montagem de superfície TO-263HV de IXGA20N250HV IGBT 2500 V 30 A 150 WIXYS IXGA20N250HV IGBT de alta tensãoIXYS IXGA20N250HV que IGBT de alta tensão.....
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IKWH50N65WR6XKSA1 isolou o transistor bipolar 650V da porta para aparelhos eletrodomésticos

Os transistor de IKWH50N65WR6XKSA1 IGBT os APARELHOS ELETRODOMÉSTICOS 14Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 inverte IGBTs de conduçãoInfineon Techno.....
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Montagem de superfície IXBT14N300HV do módulo 3000V 38A 200W do transistor de TO-268HV IGBT

Montagem de superfície TO-268HV de IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 W (IXBT)IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de condução reverso IGBTsIXYS IXBx14N300HV......
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Transistor de poder 1200V de IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W através do furo TO-264

IXYK110N120A4 IGBT pinta 1200 V 375 A W 1360 através do furo TO-264 (IXYK)Trincheira 650V de IXYS a 1200V XPT™ GenX4™ IGBTsA trincheira 650V de IXYS.....
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módulo do transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo IGBT da trincheira AFGHL40T120RLD

Parada de campo 1200 V da trincheira de AFGHL40T120RLD IGBT 48 A 529 W através do furo TO-247-3 Atributo de produto Valor de at
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Montagem de superfície do canal 1200 V 4.7A 65W do módulo N do transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT

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