Os diodos de barreira de RBQx Schottky do semicondutor de ROHM são AEC-Q101 qualificaram a alto-confiança baixo IDiodos de R para a correção geral. Estes diodos caracterizam um tipo do molde do poder, o tipo duplo comum do cátodo, e a estrutura planar epitaxial do silicone. Os diodos de barreira de RBQx Schottky são armazenados em -55°C à variação da temperatura 150°C. Estes diodos funcionam na temperatura de junção 150°C e na corrente de impulso do pico 100A para a frente. Os diodos de barreira de RBQx Schottky são ideais para o uso na fonte de alimentação de comutação.

CARACTERÍSTICAS

Confiança alta
Tipo do molde do poder
Estrutura planar epitaxial do silicone

Tipo duplo comum do cátodo
Baixo mimR

ESPECIFICAÇÕES

temperatura de junção 150°C
-55°C à variação da temperatura do armazenamento 150°C

corrente de impulso dianteiro do pico 100A

Etiquetas de Produtos:

RBQ3RSM10BTL1 montagem de superfície componente eletrônica TO-277A do diodo 100V 3A

Circuitos integrados CI

Lógica programável CI

Diodo IC de Zener

RF Pin Diode

Diodo componente eletrônico

Relés de circuito integrado

Módulo do transistor de IGBT

Conectores do entrada/saída

Capacitores cerâmicos Multilayer

Acoplador ótico da movimentação da porta

Microfone de Digitas Mems

Fã Tubeaxial

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

Bloqueadores comuns do modo

Relés de uso geral

Conectores padrão secundários de D

Gestão CI do poder

RBQ3RSM10BTL1 montagem de superfície componente eletrônica TO-277A do diodo 100V 3A

Montagem de superfície TO-277A de Schottky 100 V 3A do diodo RBQ3RSM10BTL1

Diodos de barreira de RBQx Schottky do semicondutor de ROHM

CARACTERÍSTICAS

ESPECIFICAÇÕES

surface mount diode identification

diode stack sr u620806

dc voltmeter panel mount