a trincheira IGBTs do onsemi FGHL75T65MQDTx é 4a meados de-velocidade IGBTs da geração do th tecnologia-embalou com o diodo atual inteiramente avaliado. Os FGHL75T65MQDTx IGBTs operam-se na temperatura de junção 175°C máxima, no coletor 650V à tensão do emissor, e na corrente de coletor 75A. Este IGBTs caracteriza o coeficiente de temperatura positivo para a operação paralela fácil, capacidade atual alta, interruptor liso e aperfeiçoado, e distribuição apertada do parâmetro. O FGHL75T65MQDT é construído em um pacote de TO247-3L e o FGHL75T65MQDTL4 IGBT é construído em um pacote de TO247-4L. Este IGBTs é ideal para aplicações em inversores solares, em UPS, em ESS, em PFC, e em conversores.

CARACTERÍSTICAS

temperatura de junção 175°C máxima TJ
Coeficiente de temperatura positivo para um funcionamento fácil da paralela
Capacidade atual alta
Baixa tensão de saturação:
- VCE(se sentou)= 1.15V (típico) @ mimC= 75A
100% das peças são testadas para ILM

Interruptor liso e aperfeiçoado
Distribuição apertada do parâmetro
RoHS complacente

APLICAÇÕES

Inversores solares
UPS e ESS
PFC e conversores

Etiquetas de Produtos:

Trincheira IGBT 650V 80A 375W da parada de campo FGHL75T65MQDTL4 através do furo TO-247-4L

Circuitos integrados CI

Lógica programável CI

Diodo IC de Zener

RF Pin Diode

Diodo componente eletrônico

Relés de circuito integrado

Módulo do transistor de IGBT

Conectores do entrada/saída

Capacitores cerâmicos Multilayer

Acoplador ótico da movimentação da porta

Microfone de Digitas Mems

Fã Tubeaxial

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

Bloqueadores comuns do modo

Relés de uso geral

Conectores padrão secundários de D

Gestão CI do poder

Trincheira IGBT 650V 80A 375W da parada de campo FGHL75T65MQDTL4 através do furo TO-247-4L

Parada de campo 650 V da trincheira de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 80 A 375 W através do furo TO-247-4L

trincheira IGBTs do onsemi FGHL75T65MQDTx

CARACTERÍSTICAS

APLICAÇÕES

regulator argon

argon regulator

in5408 diode