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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L

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China Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L wholesale
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Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L
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Number modelo :FGH4L40T120LQD
Quantidade de ordem mínima :50pcs
Capacidade da fonte :1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :80A
Atual - coletor pulsado (Icm) :160 A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :1.8V @ 15V, 40A
Potência - Máx. :306 W
Energia de comutação :1.04mJ (sobre), 1.35mJ (fora)
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Parada de campo 1200 V da trincheira de FGH4L40T120LQD IGBT 80 A 306 W através do furo TO-247-4L

onsemi FGH4L40T120LQD IGBT

o onsemi FGH4L40T120LQD IGBT é ultra uma construção robusta da trincheira da parada de campo que forneça o desempenho superior em aplicações de comutação de exigência. Este IGBT é incorporado no dispositivo que é um diodo deroda co-empacotado macio e rápido com uma baixa tensão dianteira. O FGH4L40T120LQD IGBT oferece ambo a baixa tensão do em-estado e a perda de comutação mínima. Este IGBT opera-se na temperatura de junção 175°C máxima. O FGH4L40T120LQD IGBT opera-se em 1200V, 40A, e é construído em um pacote de TO247 4L. As aplicações típicas incluem inversores solares e UPS, interruptor industrial, e soldadura.

CARACTERÍSTICAS

  • Trincheira extremamente eficiente com tecnologia da parada de campo
  • temperatura de junção 175°C máxima (TJ)
  • Diodo reverso rápido e macio da recuperação
  • Aperfeiçoado para baixo VCE(Sat)
  • tensão máxima do Coletor-emissor 1200V (VCE)

APLICAÇÕES

  • Inversor solar e UPS
  • Interruptor industrial
  • Soldadura

CONEXÃO DE PIN

Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L

CARACTERÍSTICAS DA CARGA DA PORTA

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