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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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módulo do transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo IGBT da trincheira AFGHL40T120RLD

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China módulo do transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo IGBT da trincheira AFGHL40T120RLD wholesale
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módulo do transistor de 1200V 48A 529W IGBT, parada de campo IGBT da trincheira AFGHL40T120RLD
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Number modelo :AFGHL40T120RLD
Quantidade de ordem mínima :50pcs
Capacidade da fonte :1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :48A
Atual - coletor pulsado (Icm) :160 A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :2.1V @ 15V, 40A
Potência - Máx. :529 W
Energia de comutação :3.4mJ (sobre), 1.2mJ (fora)
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Parada de campo 1200 V da trincheira de AFGHL40T120RLD IGBT 48 A 529 W através do furo TO-247-3

Atributo de produto Valor de atributo
onsemi
Categoria de produto: Transistor de IGBT
RoHS: Detalhes
TO-247-3
Tubo
Tipo: onsemi
Tipo de produto: Transistor de IGBT
30
Subcategoria: IGBTs
Etiquetas de Produtos:

in5408 diode equivalent

genset fawde 15 kva

diode in 5408
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