Categorias de Produtos

Circuitos integrados CI

[55]

Lógica programável CI

[15]

Diodo IC de Zener

[16]

RF Pin Diode

[16]

Diodo componente eletrônico

[17]

Relés de circuito integrado

[15]

Módulo do transistor de IGBT

[20]

Conectores do entrada/saída

[15]

Capacitores cerâmicos Multilayer

[10]

Acoplador ótico da movimentação da porta

[16]

Microfone de Digitas Mems

[11]

Fã Tubeaxial

[10]

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

[10]

Bloqueadores comuns do modo

[10]

Relés de uso geral

[18]

Conectores padrão secundários de D

[10]

Gestão CI do poder

[12]

Contate

Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

Visite o site

Cidade:shenzhen

País / Região:china

Pessoa de contato:Missalphademo@maoyt.com

Ver detalhes de contato

Contate

Montagem de superfície do canal 1200 V 4.7A 65W do módulo N do transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT

OS produtos detalhados

IMBG120R350M1HXTMA1 montagem PG-TO263-7-12 da superfície 65W do N-canal 1200 V 4.7A (Tc) (Tc) Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Os m...

Ver OS produtos detalhados →

Etiquetas de Produtos:

igt portão motor ic projeto do circuito do condutor Módulo IGBT de semicondutores Mitsubishi

show pictures

Circuitos integrados CI

Lógica programável CI

Diodo IC de Zener

RF Pin Diode

Diodo componente eletrônico

Relés de circuito integrado

Módulo do transistor de IGBT

Conectores do entrada/saída

Capacitores cerâmicos Multilayer

Acoplador ótico da movimentação da porta

Microfone de Digitas Mems

Fã Tubeaxial

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

Bloqueadores comuns do modo

Relés de uso geral

Conectores padrão secundários de D

Gestão CI do poder

Montagem de superfície do canal 1200 V 4.7A 65W do módulo N do transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT