Os módulos de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT Fourpack são parada de campo IGBTs da porta da trincheira com RBSOA quadrado. Os módulos caracterizam HEXFRED® baixo Qrr, baixa energia de comutação, e coeficiente de temperatura positivo de VCE (em). Os dispositivos igualmente têm uma placa de base de cobre, baixo projeto disperso da indutância, e são projetados e qualificados para mercados industriais.

CARACTERÍSTICAS

Parada de campo IGBT da porta da trincheira
Quadrado RBSOA
HEXFRED® baixo Qrr, baixa energia de comutação
Coeficiente de temperatura positivo de VCE (sobre)

Placa de base de cobre
Baixo projeto disperso da indutância
Projetado e qualificado para mercados industriais

APLICAÇÕES

Eficiência da avaliação de desempenho para a soldadura do HF da apreciação de SMPS em particular
Desempenho transiente áspero
O baixo IEM, exige menos desprezar

Montagem completa do chassi da ponte 1200V 118A 431W do módulo do transistor de VS-GT75YF120NT IGBT

Circuitos integrados CI

Lógica programável CI

Diodo IC de Zener

RF Pin Diode

Diodo componente eletrônico

Relés de circuito integrado

Módulo do transistor de IGBT

Conectores do entrada/saída

Capacitores cerâmicos Multilayer

Acoplador ótico da movimentação da porta

Microfone de Digitas Mems

Fã Tubeaxial

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

Bloqueadores comuns do modo

Relés de uso geral

Conectores padrão secundários de D

Gestão CI do poder

Montagem completa do chassi da ponte 1200V 118A 431W do módulo do transistor de VS-GT75YF120NT IGBT

Montagem completa do chassi da ponte 1200 V 118 A 431 W da parada de campo da trincheira do módulo de VS-GT75YF120NT IGBT

Módulos de Vishay VS-GT50YF120NT IGBT Fourpack

CARACTERÍSTICAS

APLICAÇÕES

h bridge igbt

full h bridge mosfet driver

half bridge igbt