Os Bourns modelam a tecnologia bipolar isolada OFERECIDA da liga dos transistor da porta (IGBTs) de uma porta do MOSFET e de um transistor bipolar e são projetados para aplicações atuais de alta tensão/altas. O modelo OFERECEU tecnologia avançada da Campo-parada da Trincheira-porta do uso de IGBTs para fornecer o maior controle das características dinâmicas, tendo por resultado uma tensão de saturação mais baixa do Coletor-emissor e menos perdas de comutação. O IGBTs caracteriza um -55°C à variação da temperatura de funcionamento de +150°C e está disponível em pacotes de TO-252, de TO-247, e de TO-247N. Estes componentes termicamente eficientes fornecem uma resistência térmica mais baixa que faz lhes soluções apropriadas de IGBT para as fontes de alimentação do Interruptor-modo (SMPS), fontes de energia Uninterruptible (UPS), e aplicações da correção de fator de poder (PFC).

CARACTERÍSTICAS

BIDD05N60T
- 600V, 5A, baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
- Tecnologia da Campo-parada da Trincheira-porta
- Aperfeiçoado para a condução
- Robusto, pacote TO-252
- RoHS complacente
BIDW20N60T
- 600V, 20A, baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
- Tecnologia da Campo-parada da Trincheira-porta
- Aperfeiçoado para a condução
- Baixa perda de comutação
- Pacote TO-247
- RoHS complacente
BIDW30N60T
- 600V, 30A, baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
- Tecnologia da Campo-parada da Trincheira-porta
- Aperfeiçoado para a condução
- Pacote TO-247
- RoHS complacente

BIDW50N65T
- 600V, 50A, baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
- Tecnologia da Campo-parada da Trincheira-porta
- Aperfeiçoado para a condução
- Pacote TO-247
- RoHS complacente
BIDNW30N60H3
- 600V, 30A, baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
- Tecnologia da Campo-parada da Trincheira-porta
- Baixa perda de comutação
- Interruptor rápido
- Pacote de TO-247N
- RoHS complacente

APLICAÇÕES

fontes de alimentação do Interruptor-modo (SMPS)
Fontes de energia Uninterruptible (UPS)
Correção de fator de poder (PFC)
Inversores (BIDW50N65T únicos)

Aquecimento de indução (BIDW30N60T e BIDNW30N60H3 únicos)
Motores deslizantes (BIDW20N60T únicos)

Etiquetas de Produtos:

Parada de campo IGBT da trincheira de BIDW30N60T 600V 60A 230W através do furo TO-247

Circuitos integrados CI

Lógica programável CI

Diodo IC de Zener

RF Pin Diode

Diodo componente eletrônico

Relés de circuito integrado

Módulo do transistor de IGBT

Conectores do entrada/saída

Capacitores cerâmicos Multilayer

Acoplador ótico da movimentação da porta

Microfone de Digitas Mems

Fã Tubeaxial

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

Bloqueadores comuns do modo

Relés de uso geral

Conectores padrão secundários de D

Gestão CI do poder

Parada de campo IGBT da trincheira de BIDW30N60T 600V 60A 230W através do furo TO-247

Parada de campo 600 V da trincheira de BIDW30N60T IGBT 60 A 230 W através do furo TO-247

Os Bourns modelam transistor bipolares isolados OFERECIDOS da porta

CARACTERÍSTICAS

APLICAÇÕES

diode bridge 3 phase

bridge rectifier diode value

0.5 a bridge rectifier