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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Parada de campo IGBT da trincheira RGS80TS65HRC11 650V 73A 272W através do furo TO-247N

Categorias de Produtos

Circuitos integrados CI

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Lógica programável CI

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Diodo IC de Zener

 [16]

RF Pin Diode

 [16]

Diodo componente eletrônico

 [17]

Relés de circuito integrado

 [15]

Módulo do transistor de IGBT

 [20]

Conectores do entrada/saída

 [15]

Capacitores cerâmicos Multilayer

 [10]

Acoplador ótico da movimentação da porta

 [16]

Microfone de Digitas Mems

 [11]

Fã Tubeaxial

 [10]

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

 [10]

Bloqueadores comuns do modo

 [10]

Relés de uso geral

 [18]

Conectores padrão secundários de D

 [10]

Gestão CI do poder

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China Parada de campo IGBT da trincheira RGS80TS65HRC11 650V 73A 272W através do furo TO-247N wholesale
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Parada de campo IGBT da trincheira RGS80TS65HRC11 650V 73A 272W através do furo TO-247N
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Number modelo :RGS80TS65HRC11
Quantidade de ordem mínima :50pcs
Capacidade da fonte :1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) :650 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) :73 A
Atual - coletor pulsado (Icm) :120A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :2.1V @ 15V, 40A
Potência - Máx. :272 W
Energia de comutação :1.05mJ (sobre), 1.03mJ (fora)
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Parada de campo 650 V da trincheira de RGS80TS65HRC11 IGBT 73 A 272 W através do furo TO-247N

Trincheira IGBTs automotivo da parada de campo do semicondutor RGS de ROHM

A trincheira IGBTs automotivo da parada de campo do semicondutor RGS de ROHM é AEC-Q101 IGBTs automotivo avaliado que é em 1200 as variações V e 650V disponíveis. Este IGBTs entrega a baixa perda classe-principal da condução que contribui a reduzir o tamanho e a melhorar a eficiência das aplicações. Os RGS IGBTs utilizam tecnologias originais da trincheira-porta e da fino-bolacha. Estas tecnologias ajudam a conseguir a baixa tensão de saturação do coletor-emissor (VCE (sentado)) com reduzido comutar perdas. Este IGBTs fornece economias de energia aumentadas em uma variedade de aplicações atuais de alta tensão e altas.

CARACTERÍSTICAS

  • baixa perda Classe-principal da condução
  • Eficiência elevada
  • Reduza o tamanho
  • Disponível avaliações em 1200V e em 600V
  • Utilize tecnologias da trincheira-porta e da fino-bolacha
  • Tensão de saturação do coletor-emissor da oferta baixa
  • Perdas de comutação reduzidas
  • Aumente as economias de energia
  • AEC-Q101 qualificou
  • Pacote de TO-247N

APLICAÇÕES

  • Inversor geral para o uso automotivo e industrial
  • Calefator positivo do coeficiente de temperatura (PTC)
  • Compressores elétricos

GRÁFICOS DE DESEMPENHO

Parada de campo IGBT da trincheira RGS80TS65HRC11 650V 73A 272W através do furo TO-247N
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argon regulator

diode bridge ic
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