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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

HongKong Wei Ya Hua Electronic Technology Co.,Limited.

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Diodo único 250mA 3.3W 6-TDFN 1.5x1.2 de MADP-011027-14150T RF 100V

Categorias de Produtos

Circuitos integrados CI

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Lógica programável CI

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Diodo IC de Zener

 [16]

RF Pin Diode

 [16]

Diodo componente eletrônico

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Relés de circuito integrado

 [15]

Módulo do transistor de IGBT

 [20]

Conectores do entrada/saída

 [15]

Capacitores cerâmicos Multilayer

 [10]

Acoplador ótico da movimentação da porta

 [16]

Microfone de Digitas Mems

 [11]

Fã Tubeaxial

 [10]

Pilha do botão do dióxido do manganês do lítio

 [10]

Bloqueadores comuns do modo

 [10]

Relés de uso geral

 [18]

Conectores padrão secundários de D

 [10]

Gestão CI do poder

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China Diodo único 250mA 3.3W 6-TDFN 1.5x1.2 de MADP-011027-14150T RF 100V wholesale
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Diodo único 250mA 3.3W 6-TDFN 1.5x1.2 de MADP-011027-14150T RF 100V
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Number modelo :MADP-011027-14150T
Quantidade de ordem mínima :50pcs
Capacidade da fonte :1000000 unidades
Vr - Tensão Reversa :100 V
Capacitância máxima do diodo :0,35 PF
Série de resistência máxima @ máxima SE :2,6 ohms
Se - Corrente direta :250 miliampères
Vf - Tensão direta :0,9 V
Frequência de funcionamento mínima :50 megahertz
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PIN do diodo de MADP-011027-14150T RF - único 100V 250 miliampère 3,3 W 6-TDFN (1.5x1.2)

Derivação PIN Diodes de MACOM MADP-01102x

A derivação PIN Diodes de MACOM MADP-01102x oferece a superfície-montagem sem chumbo de 1.5mm x de 1.2mm DFN os diodos de PIN empacotados plásticos que fornecem a baixa e operação alta da frequência do sinal de 50MHz a 12GHz. A tensão mais alta da divisão e para abaixar a resistência térmica do diodo de PIN fornece o poder máximo que segura além de 100W. A derivação PIN Diodes de MACOM MADP-01102x é idealmente apropriada para o uso em uns interruptores de alimentação do incidente, em uns deslocadores da fase, em uns atenuador, e em uns circuitos mais altos da micro-ondas do limitador sobre uma frequência larga onde os conjuntos do diodo da montagem da superfície de um desempenho mais alto sejam exigidos.

CARACTERÍSTICAS

  • Estrutura de faixa larga terminal da derivação de 3 LPF
  • 50MHz à frequência 12GHz de faixa larga
  • >manipulação do poder 100W máximo
  • <0>
  • >isolamento da derivação 23dB
  • < 45="">
  • 1.5mm x 1.2mm sem chumbo 6 pacote da ligação DFN
  • RoHS complacente e reflow 260°C

APLICAÇÕES

  • Interruptores de alimentação mais altos do incidente
  • Deslocadores da fase
  • Atenuador
  • Circuitos da micro-ondas do limitador

DIAGRAMA FUNCIONAL

Diodo único 250mA 3.3W 6-TDFN 1.5x1.2 de MADP-011027-14150T RF 100V
Etiquetas de Produtos:

5 kv megger d

diode 1n5402

diode 1n5406
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