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Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.

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País / Região:china
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China Parada de campo 1200 V da trincheira do semicondutor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 80 A 555 W for sale

Parada de campo 1200 V da trincheira do semicondutor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 80 A 555 W

Parada de campo 1200 V da trincheira de RGS80TSX2DHRC11 IGBT 80 A 555 W através do furo TO-247N Características: ●Baixo coletor - tensão de saturação ...
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China Mosfet CI 40 V 195A Tc 294W Tc do canal de IRFB7434PBF N através do furo TO-220AB for sale

Mosfet CI 40 V 195A Tc 294W Tc do canal de IRFB7434PBF N através do furo TO-220AB

N-canal 40 V 195A de IRFB7434PBF (Tc) 294W (Tc) através do furo TO-220AB Características: Categoria Únicos FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies ......
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China STPSC10H065BY-TR Diodo de superfície 650 V 10A DPAK da montagem do diodo de Smd for sale

STPSC10H065BY-TR Diodo de superfície 650 V 10A DPAK da montagem do diodo de Smd

STPSC10H065BY-TR Diodo 650 V 10A montagem em superfície DPAK Ficha de dados:STPSC10H065BY-TR Categoria Diodos Únicos Mfr STMicroeletrônica Series ......
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China Montagem de superfície TO-252AA do circuito 800V 4A Tc 52W Tc do Mosfet do canal do Fet N de FCD1300N80Z for sale

Montagem de superfície TO-252AA do circuito 800V 4A Tc 52W Tc do Mosfet do canal do Fet N de FCD1300N80Z

Montagem TO-252AA da superfície 52W do N-canal 800 V 4A de FCD1300N80Z (Tc) (Tc) Folha de dados: FCD1300N80Z Categoria Únicos FETs, MOSFETs Mfr onsemi ...
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China Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W do diodo de BUF420AW BJT NPN através do furo TO-247-3 for sale

Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W do diodo de BUF420AW BJT NPN através do furo TO-247-3

BUF420AW Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 30 A 200 W Através do Orifício TO-247-3 Características: ●STMicroelectronics TIPO DE VENDAS PREFERIDO ......
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China Montagem de superfície 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W da disposição do Mosfet do canal de FDS3992 N for sale

Montagem de superfície 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W da disposição do Mosfet do canal de FDS3992 N

Montagem de superfície 8-SOIC da disposição 100V 4.5A 2.5W do Mosfet FDS3992 Folha de dados: FDS3992 Categoria O FET, MOSFET põe Mfr onsemi Série ......
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China Nível N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 da lógica do Mosfet do canal do poder superior N de IPP65R110CFDA for sale

Nível N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 da lógica do Mosfet do canal do poder superior N de IPP65R110CFDA

N-canal 650 V 31.2A de IPP65R110CFDA (Tc) 277.8W (Tc) através do furo PG-TO220-3 Características: IPP65R110CFDA Categoria Únicos FETs, MOSFETs Mfr ......
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China Furo PG-TO247-4-1 do diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough do Mosfet do canal de IMZ120R090M1H INFINEON N for sale

Furo PG-TO247-4-1 do diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough do Mosfet do canal de IMZ120R090M1H INFINEON N

N-canal 1200 V 26A de IMZ120R090M1H (Tc) 115W (Tc) através do furo PG-TO247-4-1 Características: IMZ120R090M1H Categoria Únicos FETs, MOSFETs Mfr ......
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China Transistor do diodo de IPP65R110CFDA e N-canal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 do tiristor for sale

Transistor do diodo de IPP65R110CFDA e N-canal 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 do tiristor

N-canal 650 V 31.2A de IPP65R110CFDA (Tc) 277.8W (Tc) através do furo PG-TO220-3 Características: Categoria Únicos FETs, MOSFETs Mfr Infineon ...
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China Montagem de superfície ATPAK do Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc do P-canal do transistor do diodo de ATP114-TL-H for sale

Montagem de superfície ATPAK do Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tc do P-canal do transistor do diodo de ATP114-TL-H

ATP114-TL-H Canal P 60 V 55A (Ta) 60 W (Tc) Montagem em Superfície ATPAK Características:ATP114-TL-H Categoria FETs simples, MOSFETs Mfr onsemi Tipo ....
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