Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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HXY4812 0V Dual MOSFET do N-canal
Descrição geral
A tecnologia avançada da trincheira dos usos HXY4812 a
forneça o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. Isto
o dispositivo é apropriado para o uso como um interruptor da carga ou em PWM
aplicações.
Sumário do produto
Avaliações máximas absolutas T =25°C salvo disposição em contrário
Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)
A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.
o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.
C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se
D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 são obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.