Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
7 Anos
Casa /

Produtos

/

Transistor de poder do Mosfet

Contate
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
Contate
1 - 10 De 562

 Produtos

Tipo duplo elevado desempenho do interruptor atual alto N do Mosfet HXY4812 

O general duplo descrição do MOSFET do N-canal de HXY4812 0V O HXY4812 usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a ...
Contate

Add to Cart

Dreno contínuo 6.5A atual do N-canal duplo do transistor de poder do Mosfet de HXY4812 30V

O general duplo descrição do MOSFET do N-canal de HXY4812 30V O HXY4822A usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e ...
Contate

Add to Cart

O interruptor do Mosfet da lógica de HXY9926A, interruptor de alimentação ±1.2v VGS do Mosfet Dual canal de N

HXY9926A 20V Dual MOSFET do N-canal Descrição geral A tecnologia avançada da trincheira dos usos de HXY9926A a forneça o RDS excelen
Contate

Add to Cart

MOSFETS duplos do transistor de poder SOT-23-6L do Mosfet do canal de 8205A N 6,0 Um VDSS

8205A SOT-23-6L Plástico-encapsulam o general duplo descrição VDSS= V ID= 6,0 do MOSFET do N-canal dos MOSFETS um z 20 G1 6 D1, < de D2 5 G2 4 z RDS ....
Contate

Add to Cart

Carga dupla da porta do transistor de poder 20V do Mosfet do canal de 8H02ETS N baixa

A DESCRIÇÃO do MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel o 8H02ETSuses avançou a tecnologia da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a ....
Contate

Add to Cart

Fonte de alimentação ininterrupta dupla do interruptor 20V do Mosfet do canal de 12H02TS N

A descrição do MOSFET do modo do realce de 12H02TS 20V N+N-Channel O 12H02TS usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente ......
Contate

Add to Cart

8205 o plástico do transistor de poder TSSOP-8 do Mosfet encapsula para a gestão do poder

8205S TSSOP-8 Plástico-encapsulam o < da descrição geral VDSS= V ID= 6,0 A 20 z RDS dos MOSFETS (sobre); < de Ω@VGS = de 4.5V 25 MZ 20z RDS (sobre); ....
Contate

Add to Cart

Da montagem de superfície dupla do interruptor do Mosfet de 5G03SIDF 30V carga da porta baixa

A descrição do MOSFET do modo do realce de 5G03SIDF 30V N+P-Channel O 5G03S/DF usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente ......
Contate

Add to Cart

Identificação 6.5A do MOSFET do modo do realce do transistor de poder do Mosfet de 6G03S 30V

A descrição do MOSFET do modo do realce de 6G03S 30V N+P-Channel O 6G03S usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE) e ...
Contate

Add to Cart

10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

MOSFET do modo do realce de 10G03S 30V N+P-Channel Descrição A trincheira avançada dos usos 10G03S tecnologia para fornecer R excelenteD
Contate

Add to Cart

Inquiry Cart 0