Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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MOSFET do modo do realce de 20V N+N-Channel
DESCRIÇÃO
A tecnologia avançada da trincheira 8H02ETSuses a
forneça o RDS excelente (SOBRE), a baixa carga da porta e
operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V.
CARACTERÍSTICAS GERAIS
VDS = 20V, IDENTIFICAÇÃO = 7A
8H02TS RDS (SOBRE) < 28mΩ @ VGS=2.5V
RDS (SOBRE) < 26mΩ @ VGS=3.1V
RDS (SOBRE) < 22mΩ @ VGS=4V
RDS (SOBRE) < 20mΩ @ VGS=4.5V
Avaliação do ESD: 2000V HBM
Aplicação
Proteção da bateria
Gestão do poder do interruptor da carga
Marcação do pacote e informação pedindo
| Identificação do produto | Bloco | Marcação | Qty (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notável de outra maneira)
| Parâmetro | Símbolo | Limite | Unidade |
| Tensão da Dreno-fonte | VDS | 20 | V |
| Tensão da Porta-fonte | VGS | ±12 | V |
| Drene Current-Continuous@ Atual-pulsou (nota 1) | Identificação | 7 | V |
| Dissipação de poder máxima | Paládio | 1,5 | W |
| Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Resistência térmica, Junção-à-ambiental (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)