8205S TSSOP-8 Plástico-encapsulam MOSFETS
Descrição geral
VDSS= V ID= 6,0 A 20 z RDS (sobre) < Ω@VGS = 4.5V 25 MZ 20z RDS (sobre) < Ω@VGS = 2.5V 32 m 2532mm
CARACTERÍSTICA
MOSFET do poder de z TrenchFET
z RDS excelente (sobre)
carga da porta de z baixa
poder superior de z e capacidade entregando atual
pacote da montagem da superfície de z
APLICAÇÃO
proteção da bateria de z
interruptor da carga de z
gestão do poder de z
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25℃ salvo disposição em contrário)
Notas:
1. Avaliação repetitiva: Largura de Pluse limitada pela temperatura de junção máxima
2.Surface montado FR4 na placa, segundo t≤10.
3. Pulso Ttest: Pulso width≤300μs, dever cycle≤2%.
4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção.
T =25 um ℃ salvo disposição em contrário