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10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :10G03S
Nome do produto :transistor de poder do mosfet
Tipo :Transistor do Mosfet
Temperatura de junção :150℃
Aplicação :Aplicação do interruptor do poder
Características :O produto sem chumbo é adquirido
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MOSFET do modo do realce de 10G03S 30V N+P-Channel

 

 

Descrição

A trincheira avançada dos usos 10G03S

tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE) e baixa carga da porta.

Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a

o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrião de outro

aplicações

 

Características gerais

N-canal

VDS = 30V, ID =10A

RDS(SOBRE)< 16m=""> GS=10V

P-canal

VDS = -30V, ID = -9A

RDS(SOBRE)< 37m=""> GS=-10V

Poder superior e capacidade entregando atual

O produto sem chumbo é adquirido

Pacote de superfície da montagem

 

Aplicação

Aplicação do interruptor do poder do ●

Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●

Fonte de alimentação ininterrupta do ●

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

Avaliações máximas absolutas (TC=25℃unless notáveis de outra maneira)
10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet
 
Características elétricas de N-CH (TA=25℃unless notável de outra maneira)

 

10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet

 

 

Características elétricas de P-CH (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
 
 
10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet
Notas:
1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção
 
Características típicas do N-canal
10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet10G03S transistor do canal de N + de P, transistor eletrônico do poder do Mosfet
 
 
 
 
Características típicas do P-canal
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