Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
7 Anos
Casa / Produtos / Transistor de poder do Mosfet /

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

Contate
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
Contate

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :20G04S
Nome do produto :transistor de poder do mosfet
Tipo :Transistor do Mosfet
Identificação do produto :20G04S
VDS :40V
Características :Pacote de superfície da montagem
VGS :±20V
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

MOSFET do modo do realce de 20G04S 40V N+P-Channel

 

Descrição

A trincheira avançada dos usos 20G04S

tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE) e baixa carga da porta.

Os MOSFETs complementares podem ser usados para formar a

o nível deslocou o interruptor lateral alto, e para um anfitrião de outro

aplicações

 

Características gerais

N-canal

VDS =40V, ID =20A

RDS(SOBRE)< 35m=""> GS=10V

RDS(SOBRE)< 42m=""> GS=4.5V

P-canal

VDS =-40V, ID = -18A

RDS(SOBRE)<40m> GS=-10V

RDS(SOBRE)< 70m=""> GS=-4.5V

Poder superior e capacidade entregando atual

O produto sem chumbo é adquirido

Pacote de superfície da montagem

 

Aplicação

Aplicação do interruptor do poder do ●

Circuitos duramente comutados e de alta frequência do ●

Fonte de alimentação ininterrupta do ●

 

 

Marcação do pacote e informação pedindo

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

Avaliações máximas absolutas (TC=25℃unless notáveis de outra maneira)
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
Características elétricas de N-CH (TA=25℃unless notável de outra maneira)

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V

 

 

Características elétricas de P-CH (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
 
Notas:
1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. Superfície montada FR4 na placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. Teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.
4. Garantido pelo projeto, não sujeito à produção
 
Características típicas do N-canal
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
 
 
 
 
Características típicas do P-canal
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04S 40V
 
 
Inquiry Cart 0