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Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :WST2078
Product name :Mosfet Power Transistor
Features :Surface mount package
RDSON :30mΩ
Case :Tape/Tray/Reel
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MOSFET do N&P-canal WST2078

 

Descrição

 

O WST2078 é a trincheira do desempenho o mais alto

MOSFETs N-ch e P-ch com pilha alta extrema

densidade, que fornecem RDSON excelente e o bloqueiam

carregue para a maioria do interruptor pequeno do poder e

carregue aplicações do interruptor.

 

A reunião WST2078 o RoHS e o produto verde

exigência com a confiança completa da função aprovada.

 

 

 

Aplicações

 

  • Ponto--carga de alta frequência s síncrono
  • Interruptor pequeno do poder para MB/NB/UMPC/VGA
  • Sistema de energia dos trabalhos em rede DC-DC
  • Interruptor da carga

 

Características
  • Tecnologia alta avançada da trincheira da densidade de pilha
  • carga super da porta de z baixa
  • diminuição excelente do efeito de z Cdv/dt
  • dispositivo do verde de z disponível

 

Avaliações máximas absolutas

 

Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 

 

 

Dados térmicos
Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
Características elétricas do N-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Características de diodo do corpo da Dreno-fonte
 
Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 150℃
4. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características elétricas do P-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
 
Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Características de diodo do corpo da Dreno-fonte
 
Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em um 1 inch2
Placa FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada por dados da temperatura de junção 150℃ 4.The é teoricamente a mesma como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características típicas do N-canal
 
Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 
Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 Tipo de superfície elevado desempenho da montagem do transistor de poder do Mosfet WST2078 
 
 
Características típicas do P-canal
 
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