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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

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Transistor de poder do Mosfet

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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China MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V wholesale
  • China MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V wholesale

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :WST3078
Product name :Mosfet Power Transistor
Features :Surface mount package
ID :20A
VGS :-10V
Applications :Power management
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MOSFET do modo do realce de 20G04GD 40V N+P-Channel
 

 

Descrição

 

A trincheira avançada dos usos 20G04GD 

tecnologia para fornecer R excelenteDS(SOBRE)

e baixa carga da porta. Este dispositivo é

apropriado para o uso como um interruptor da carga ou dentro

Aplicações de PWM.

 

 

CARACTERÍSTICAS GERAIS
N-CH VDS =-40V, IDENTIFICAÇÃO =20A RDS (SOBRE) < 25mΩ @ VGS=-10V P-CH VDS =-40V, IDENTIFICAÇÃO =-18A RDS (SOBRE) <-42mΩ @ VGS=-10V
 
Aplicação
Aplicações de PWM
Interruptor da carga
Gestão do poder
 
 
Marcação do pacote e informação pedindo
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V
 

Ratings@T máximo absoluto =25oC (salvo disposição em contrário)

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

N-CH Characteristics@ bonde T =25oC (salvo disposição em contrário)

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

P-CH Characteristics@T bonde =25oC (salvo disposição em contrário)

 

 

MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V

 
 
P-CH Characteristics@T bonde =25oC (salvo disposição em contrário)
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V
 
 
MOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40VMOSFET do modo do realce do canal do transistor de poder N+P do Mosfet de 20G04GD 40V
 
 
 
 
 
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