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Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :WSF3012
Type :Mosfet Power Transistor
Junction temperature :150℃
RDSON :50mΩ
Features :Super Low Gate Charge
Usage :High Frequency Point-of-Load Synchronous
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WSF3012 N-Ch e MOSFET do P-canal

 

Descrição

 

O WSF3012 é a trincheira N-ch do desempenho o mais alto
e MOSFET P-ch com densidade de pilha alta extrema,
qual forneça RDSON excelente e bloqueie a carga para
a maioria das aplicações síncronos do conversor do fanfarrão.
A reunião WSF3012 o RoHS e o produto verde
exigência 100% EAS garantido com função completa
confiança aprovada.

 

Produto veraniço

 

Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

 

 

Características
  • tecnologia alta avançada da trincheira da densidade de pilha de z
  • carga super da porta de z baixa
  • diminuição excelente do efeito de z CdV/dt
  • z 100% EAS garantido
  • dispositivo do verde de z disponível

 

 

Aplicações

 

Ponto--carga de alta frequência de z síncrono
  Conversor do fanfarrão para MB/NB/UMPC/VGA
sistema de energia dos trabalhos em rede DC-DC de z
inversor do luminoso de z CCFL

 

Avaliações máximas absolutas

 

Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON

 

 

Dados térmicos
 
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
 
 
 
Características elétricas do N-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
 
 
Características garantidas da avalancha
 
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Características de diodo
 
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
 
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 150℃
4. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características elétricas do P-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
 
Características garantidas da avalancha
 
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
 
 
Características de diodo
 
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. Os dados de EAS mostram a avaliação máxima. A condição de teste é VDD=-25V, VGS=-10V, L=0.1mH, IAS=-27.2A
4. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 150℃
5. O valor mínimo é garantia testada EAS de 100%.
6. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
Características típicas do N-canal
Mosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSONMosfet de comutação do poder do transistor de poder 50mΩ do Mosfet WSF3012 RDSON
 
 
 
 
Características típicas do P-canal
 
 
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