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7 Anos
Casa / Produtos / Transistor de poder do Mosfet /

Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :WSF6012
Product name :Mosfet Power Transistor
Junction temperature :150℃
Material :Silicon
Case :Tape/Tray/Reel
Type :mosfet transistor
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QM4803D N-Ch e MOSFET do P-canal
 

 

Descrição

 

O WSF6012 é o desempenho o mais alto

MOSFET N-ch e P-ch da trincheira com extremo

densidade de pilha alta, que fornecem excelente

RDSON e a porta carregam para a maioria do

aplicações síncronos do conversor do fanfarrão.

 

A reunião WSF6012 o RoHS e o verde

Exigência do produto, 100% EAS

garantido com confiança completa da função

aprovado.

 

 

Características
 
tecnologia alta avançada da trincheira da densidade de pilha de z
carga super da porta de z baixa
diminuição excelente do efeito de z CdV/dt
z 100% EAS garantido
dispositivo do verde de z disponível

 

 

Aplicações

 

  • conversor síncrono do fanfarrão da Ponto--carga de alta frequência de z para MB/NB/UMPC/VGA
  • sistema de energia dos trabalhos em rede DC-DC de z
  • inversor do luminoso de z CCFL

 

 

Produto veraniço
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
 
Avaliações máximas absolutas

 

Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa

 

 

Dados térmicos
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
Características elétricas do N-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
 Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
 
Características garantidas da avalancha
 
 
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
Características de diodo
 
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em uma 1 placa de inch2 FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada pela temperatura de junção 150℃
4. Os dados são teoricamente os mesmos como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características elétricas do P-canal (℃ TJ=25, salvo disposição em contrário)
 
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
Características garantidas da avalancha
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
Características de diodo
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
Nota:
1. Os dados testaram pela superfície montada em um 1 inch2
Placa FR-4 com cobre 2OZ.
2. Os dados testaram pelo pulsado, o ≦ 300us da largura de pulso, ≦ 2% do ciclo de dever
3. A dissipação de poder é limitada por dados da temperatura de junção 150℃ 4.The é teoricamente a mesma como a identificação e IDM, em aplicações reais, devem ser limitados pela dissipação de poder total.
 
 
Características típicas do N-canal
 
Carga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixaCarga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixaCarga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixaCarga da porta do MOSFET do canal do transistor de poder N/P do Mosfet do silicone WSF6012 baixa
 
 
 
Características típicas do P-canal
 
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