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Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :A94
VCBO :-400V
VCEO :-400V
VEBO :-5V
Product name :silicon semiconductor triode type
Tj :150Š
Power Mosfet Transistor :TO-92 Plastic-Encapsulate
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A94 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA

 

 Alta tensão da divisão

 

 

MARCAÇÃO

Código de A94=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE

XXX=Code

 

Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
A94 TO-92 Volume 1000pcs/Bag
A94-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da ector-base de Coll -400 V
VCEO Tensão do ector-emissor de Coll -400 V
VEBO Tensão da Emissor-base -5 V
MIMC Corrente do ector de Coll - contínua -0,2 A
ICM Corrente do ector de Coll - pulsada -0,3 A
PC Dissipação de poder do ector de Coll 625 mW
RθJA O Thermal resiste o ance da junção a ambiental 200 ℃ /W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC=-100ΜA, ISTO É =0 -400     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=-1mA, IB=0 -400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =-100ΜA, IC=0 -5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=-400V, ISTO É =0     -0,1 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=-400V, IB=0     -5 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 μA

 

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=-10V, IC=-10mA 80   300  
hFE (2) VCE=-10V, IC=-1mA 70      
hFE (3) VCE=-10V, IC=-100mA 60      
hFE (4) VCE=-10V, IC=-50mA 80      

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

VCE (sentado) (1) MimC=-10mA, IB=-1mA     -0,2 V
VCE (sentado) (2) MimC=-50mA, IB=-5mA     -0,3 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=-10mA, IB=-1mA     -0,75 V
Frequência da transição fT VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz 50     Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

GRAU A B C
ESCALA 80-100 100-200 200-300

 

 

 

 

Características típicas

 

 

Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone

Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone

Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone

Transistor de poder da ponta de A94 PNP que comutam rapidamente o tipo do Triode do semicondutor do silicone

 

 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

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