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Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :D965
VCBO :42V
VCEO :22v
VEBO :6v
Nome do produto :tipo do triode do semicondutor
Dissipação de poder do coletor :750mW
TJ :150Š
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D965 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA

Amplificador audio de Ÿ

Unidade do flash de Ÿ de câmera

Circuito do interruptor de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

 

Código de D965=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando,

se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE, XXX=Code

 

Circuito do transistor de D965 NPN, elevado desempenho do transistor de poder de NPN 

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
D965 TO-92 Volume 1000pcs/Bag
D965-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Medidor de Para Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 42 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 22 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 5 A
PD Dissipação de poder do coletor 750 mW
R0 JA O Thermal resiste a junção da ROM do ance f a ambiental 166,7 Š/W
Tj Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura do orage do St -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste MINUTO TIPO Max UNIDADE
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=0.1mA, ISTO É =0 42     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=1mA, IB=0 22     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 10µA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=30V, ISTO É =0     0,1 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=6V, IC=0     0,1 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=2V, IC= 0,15 miliampères 150      
hFE (2) VCE= 2V, IC = 500 miliampères 340   2000  
hFE (3) VCE=2V, IC = 2A 150      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=3000mA, IB=100 miliampère     0,35 V
Frequência da transição fT VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz   150   Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R T V
Escala 340-600 560-950 900-2000

 

 

 

 

Características típicas

 

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 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

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