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Paládio encapsulado plástico 625mW dos transistor de poder TO-92 da ponta de M28S NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Paládio encapsulado plástico 625mW dos transistor de poder TO-92 da ponta de M28S NPN

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :M28S
VCBO :40V
VCEO :20V
PD :625mW
Product name :semiconductor triode type
Tstg :-55 ~+150Š
Power Mosfet Transistor :TO-92 Plastic-Encapsulate
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A94 (PNP)

 

 

CARACTERÍSTICA

 

Ganho atual alto de C.C. de Ÿ e grande capacidade atual

 

 

MARCAÇÃO

Código de M28S=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando,

 

se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE, XXX=Code

 

 

Paládio encapsulado plástico 625mW dos transistor de poder TO-92 da ponta de M28S NPN

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
M28S TO-92 Volume 1000pcs/Bag
M28S-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo Medidor de Para Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 20 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1 A
PD Dissipação de poder do coletor 625 mW
R0 JA O Thermal resiste a junção da ROM do ance f a ambiental 200 Š/W
Tj Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC= 0.1mA, ISTO É =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=1mA, IB=0 20     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =0.1MA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=40V, ISTO É =0     1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=20V, IB=0     5 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=1V, IC=1mA 290      
  hFE (2) VCE=1V, IC=100mA 300   1000  
  hFE (3) VCE=10V, IC=300mA 300      
  hFE (4) VCE=1V, IC=500mA 300      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=600mA, IB=20mA     0,55 V
Frequência da transição fT VCE=10V, ISTO É =50mA, f=30MHz 100     Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

GRAU B C D
ESCALA 300-550 500-700 650-1000

 

 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

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