Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
7 Anos
Casa / Produtos / Transistor de poder da ponta /

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

Contate
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
Contate

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13003B
Collector-Base Voltage :700V
Collector-Emitter Voltage :400V
Emitter-Base Voltage :9V
Product name :semiconductor triode type
Tj :150℃
Type :Triode Transistor
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13001B (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

código 13003B=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

XXX=Code

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

 

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
3DD13003B TO-92 Volume 1000pcs/Bag
3DD13003B-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
V CBO Tensão da Coletor-base 700 V
V CEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
V EBO Tensão da Emissor-base 9 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1,5 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,9 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC= 1mA, ISTO É =0 700     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC= 10mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 1mA, IC=0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 700V, ISTO É =0     100 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 400V, IB=0     50 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 7V, IC=0     10 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= 10V, IC= 0,4 A 20   40  

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

VCE (sentado) 1 MimC=1.5A, IB= 0.5A     3 V
  VCE (sentado) 2 MimC=0.5A, IB= 0.1A     0,8 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC=0.5A, IB=0.1A     1 V
Frequência da transição fT VCE=10V, IC=100mA, f =1MHz 4     Megahertz
Tempo de queda tf MIMC=1A     0,7 µs
Tempo de armazenamento ts MIMB1=-IB2=0.2A     4 µs

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau        
Escala 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Características típicas

Tensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003BTensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003BTensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003BTensão baixa 9v baixo Rdson do emissor dos transistor de poder da ponta 3DD13003B

 

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

 

 

 

Inquiry Cart 0