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Tipo do Triode do semicondutor do silicone dos transistor de poder da ponta de TO-92 A42

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Tipo do Triode do semicondutor do silicone dos transistor de poder da ponta de TO-92 A42

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :TO-92 A42
VCBO :310V
VCEO :305V
VEBO :5V
Product name :silicon semiconductor triode type
Tj :150℃
Case :Tape/Tray/Reel
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A42 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Alta tensão

 

 

MARCAÇÃO

  • Código de A42=Device
  • O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal
  • Z=Rank do hFE
  • XXX=Code

 

Tipo do Triode do semicondutor do silicone dos transistor de poder da ponta de TO-92 A42

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
A42 TO-92 Volume 10000
A42-TA TO-92 Fita 2000


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 310 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 305 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 V
MIM C Coletor Curren t - contínuo 200 miliampère
MIM CM Corrente de coletor - pulsada 500 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 625 mW
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150
RӨJA Resistência térmica, junção a ambiental 200 ℃ /mW
RӨJC Resistência térmica, junção ao caso 83,3 ℃ /mW

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=100uA, ISTO É =0 310     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=1mA, IB=0 305     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =100ΜA, IC=0 5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=200V, ISTO É =0     0,25 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 80   250  
hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Frequência da transição fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHZ 50     Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

GRAU A B C
ESCALA 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Características típicas

 

 

Tipo do Triode do semicondutor do silicone dos transistor de poder da ponta de TO-92 A42

Tipo do Triode do semicondutor do silicone dos transistor de poder da ponta de TO-92 A42

Tipo do Triode do semicondutor do silicone dos transistor de poder da ponta de TO-92 A42

Tipo do Triode do semicondutor do silicone dos transistor de poder da ponta de TO-92 A42

 


 

 

 

 

 


 
 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

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