Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
6 Anos
Casa / Produtos / Transistor de poder da ponta /

Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

Contate
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
Contate

Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13002B
VCBO :600V
VCEO :400V
Collector-Base Voltage :6V
Product name :semiconductor triode type
Power mosfet transistor :TO-92 Plastic-Encapsulate
Type :Triode Transistor
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13002B (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder

 

 

MARCAÇÃO

código 13002B=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

XXX=Code

 

Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
3DD13002B TO-92 Volume 1000pcs/Bag
3DD13002B-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 600 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 0,8 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,9 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~ 150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

 

Parâmetro

Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo

 

Unidade

tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=100μA, ISTO É =0 600     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=1mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 6     V

 

Corrente de interrupção de coletor

ICBO VCB= 600V, ISTO É =0     100 µA
  ICEO VCE= 400V, IB=0     100 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 6 V, IC=0     100 µA

 

Ganho urrent da C.C. c

hFE1 VCE= 10 V, IC=200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC=0.25mA 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=200mA, IB=40mA     1,1 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Megahertz

Tempo de queda tf

 

MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V

    0,5 µs
Tempo de armazenamento ts       2,5 µs

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Escala 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Características típicas

Tensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixaTensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixaTensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixaTensão de saturação do circuito VCEO 400V do transistor de poder superior 3DD13002B baixa

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

Inquiry Cart 0