Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
6 Anos
Casa / Produtos / Tip Power Transistors /

Interruptor do transistor de 3DD13003 NPN, dissipação do coletor dos transistor 1.25W da série da ponta

Contate
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
Contate

Interruptor do transistor de 3DD13003 NPN, dissipação do coletor dos transistor 1.25W da série da ponta

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :3DD13003
VCBO :700V
VCEO :400V
tensão da Emissor-base :9V
Nome do produto :tipo do triode do semicondutor
Dissipação do coletor :1.25W
Tipo :Transistor do Triode
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto

TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13003 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 700 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 9 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1,5 A
PC Dissipação do coletor 1,25 W
TJ, Tstg Temperatura da junção e de armazenamento -55~+150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO Ic= 1mA, IE=0 700     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V Ic= 10 miliampères, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 1mA, IC=0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 700V, ISTO É =0     1 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 400V, IB=0     0,5 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 9 V, IC=0     1 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE= 5 V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE (2) VCE= 5 V, IC= 1.5A 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) IC=1A, IB= 250 miliampères     0,6 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) IC=1A, IB= 250mA     1,2 V
Tensão do emissor de base VBE IE= 2A     3 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE=10V, Ic=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

Megahertz

Tempo de queda tf MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Tempo de armazenamento ts IC=250mA 2   4 µs

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Grau              
Escala 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

CLASSIFICAÇÃO dos tS

 

Grau A1 A2 B1 B2
Escala 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs)
         

 


Características típicas

 

 Interruptor do transistor de 3DD13003 NPN, dissipação do coletor dos transistor 1.25W da série da pontaInterruptor do transistor de 3DD13003 NPN, dissipação do coletor dos transistor 1.25W da série da pontaInterruptor do transistor de 3DD13003 NPN, dissipação do coletor dos transistor 1.25W da série da ponta
 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 TIPO. 0,091 TIPOS.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

 

 

 

Inquiry Cart 0