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Transistor de poder TO-92 da ponta de 3DD13001B NPN VCEO encapsulado plástico 420V

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Transistor de poder TO-92 da ponta de 3DD13001B NPN VCEO encapsulado plástico 420V

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13001B
PC :0.75W
VCEO :420V
VCBO :600V
Product name :semiconductor triode type
Tj :150℃
Type :Triode Transistor
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13001B (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

código 13001=Device

S 6B=Code

 

Transistor de poder TO-92 da ponta de 3DD13001B NPN VCEO encapsulado plástico 420V

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
3DD13001B TO-92 Volume 1000pcs/Bag
3DD13001B-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Coletor - tensão baixa 600 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 420 V
VEBO Tensão da Emissor-base 7 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 0,2 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,75 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC= 100μA, ISTO É =0 600     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC= 1mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 7     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 600V, ISTO É =0     100 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 400V, IB=0     200 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=7V, IC=0     100 μA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE= 20V, IC= 20mA 14   29  
  hFE (2) VCE= 10V, IC= 0,25 miliampères 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC= 50mA, IB= 10 miliampères     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC= 50 miliampères, IB= 10mA     1,2 V
Frequência da transição fT

VCE= 20V, IC=20mA

f = 1MHz

8     Megahertz
Tempo de queda tf

 

MimC=50mA, IB1=-IB2=5mA, VCC=45V

    0,3 μs
Tempo de armazenamento tS       1,5 μs

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Escala 14-17 17-20 20-23 23-26 26-29

 

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Transistor de poder TO-92 da ponta de 3DD13001B NPN VCEO encapsulado plástico 420V

 

 

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