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Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :C945
VCBO :60V
VCEO :50V
VEBO :5V
Product name :silicon semiconductor triode type
Tj :150℃
Case :Tape/Tray/Reel
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor C945 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Linearidades excelentes do hFE de Ÿ

Ÿ de baixo nível de ruído

Ÿ complementar a A733

 

 

MARCAÇÃO

Código de C945=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE

XXX=Code

 

 

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
C945 TO-92 Volume 1000pcs/Bag
C945-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 60 V
V CEO Tensão do Coletor-emissor 50 V
V EBO Tensão da Emissor-base 5 V
MIM C Corrente de coletor - contínua 150 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 400 mW
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura do orage do St -55~+150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=1mA, ISTO É =0 60     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=100μA, IB=0 50     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =100 μA, IC=0 5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=60V, ISTO É =0     0,1 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=45V, IB=0     0,1 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 μA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=6V, IC=1mA 70   700  
  hFE (2) VCE=6V, IC=0.1mA 40      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=100mA, IB=10mA     0,3 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=100mA, IB=10mA     1 V
Frequência da transição fT VCE=6V, IC=10mA, f=30MHz 200     Megahertz
Capacidade de saída do coletor Espiga VCB=10V, ISTO É =0, f=1MHz     3,0 PF

 

Figura de ruído

 

N-F

VCE=6V, IC=0.1mA

RG=10kΩ, f=1MHz

   

 

10

 

DB

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau O Y GR BL
Escala 70-140 120-240 200-400 350-700

 

 

 

 

Características típicas

 

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído

Transistor de poder VEBO da ponta de TO-92 C945 5V NPN de baixo nível de ruído


 
 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

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