Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem de superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem de superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :2N3904
product name :semiconductor triode type
Application :mobile power supply/ led driver/motor control
Material :Silicon
Emitter-Base Voltage :6V
Case :Tape/Tray/Reel
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2N3904 (NPN).

 

 

 

CARACTERÍSTICA

Transistor planar epitaxial do silicone de Ÿ NPN para a comutação e as aplicações do amplificador

Ÿ como o tipo complementar, o transistor 2N3906 de PNP é recomendado

Este transistor de Ÿ está igualmente disponível no caso SOT-23 com o tipo designação MMBT3904

 

 

temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem de superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
2N3904 TO-92 Volume 1000pcs/Bag
2N3904-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 60 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 40 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 0,2 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,625 W
TJ Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150 Š

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC=10ΜA, ISTO É =0 60     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC= 1mA, IB=0 40     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 10µA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=60V, ISTO É =0     0,1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEX VCE=30V, VEB(fora) =3V     0,05 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 5V, IC=0     0,1 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE1 VCE=1V, IC=10mA 100   400  
hFE2 VCE=1V, IC=50mA 60      
hFE3 VCE=1V, IC=100mA 30      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=50mA, IB=5mA     0,3 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=50mA, IB=5mA     0,95 V
Frequência da transição fT VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz 300     MHZ
Tempo de atraso td

VCC=3V, VBE=0.5V,

MimC=10mA, IB1=1mA

    35 ns
Tempo de elevação tr     35 ns
Tempo de armazenamento ts

VCC=3V, IC=10mA

MimB1=IB2=1mA

    200 ns
Tempo de queda tf     50 ns

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Grau O Y G
Nge do Ra 100-200 200-300 300-400

 
 
Características típicas
 
temperatura -55-150 do armazenamento da densidade de pilha da montagem de superfície dos transistor da série da ponta 2N3904 alta

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 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada
 
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Disposição sugerida TO-92 da almofada
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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