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Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :D882M
Tensão da VoltageCollector-base da Coletor-base :40V
Tensão do Coletor-Emissor :30V
tensão da Emissor-base :6v
Transistor do Mosfet do poder :TO-252-2L Plástico-encapsulam
Tipo :tipo do triode do semicondutor
Uso :Componentes eletrônicos
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TO-252-2L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882M (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Dissipação de poder

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)
 

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 30 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 3 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC = 100μA, ISTO É =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC = 10mA, IB=0 30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 40 V, ISTO É =0     1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
 Eficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPNEficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPNEficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPNEficiência elevada da tensão baixa 6V do emissor do interruptor do transistor de D882M NPN
 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Mínimo. Máximo. Mínimo. Máximo.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 TIPO. 0,090 TIPOS.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 REFERÊNCIA. 0,190 REFERÊNCIAS.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

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