Name: Transistor de poder da ponta de MMBT4401 SOT23 que comutam rapidamente a tensão baixa 6 V do emissor
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

Place of Origin :ShenZhen China

Payment Terms :L/C T/T Western Union

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :MMBT4401

Storage Temperature :-55-150℃

Power mosfet transistor :SOT-23 Tip Power Transistors

Material :Silicon

Type :Triode Transistor

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SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor FMMT491 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Transistor de interruptor

Marcação: 2X

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	60	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	40	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	6	V
MIM_C	Corrente de coletor	600	miliampère
P_C	Dissipação de poder do coletor	300	mW
RΘJA	Resistência térmica da junção a ambiental	417	℃/W
T_j	Temperatura de junção	150	℃
Tstg	Temperatura de armazenamento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	Mim_C=100μA, ISTO É =0	60			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	Mim_C=1mA, I_B=0	40			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É =100ΜA, I_C=0	6			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB=50V, ISTO É =0			0,1	μA
Corrente de interrupção de coletor	ICEX	VCE=35V, VEB=0.4V			0,1	μA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB=5V, I_C=0			0,1	μA
Ganho atual de C.C.	hFE1	V_CE=1V, I_C=0.1mA	20
	hFE2	V_CE=1V, I_C=1mA	40
	hFE3	V_CE=1V, I_C=10mA	80
	hFE4	V_CE=1V, I_C=150mA	100		300
	hFE5	V_CE=2V, I_C=500mA	40
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	Mim_C=150mA, I_B=15mA			0,4	V
		Mim_C=500mA, I_B=50mA			0,75	V
Tensão de saturação do emissor de base	VBE (sentado)	Mim_C=150mA, I_B=15mA			0,95	V
		Mim_C=500mA, I_B=50mA			1,2	V
Frequência da transição	f_T	V_CE=10V, I_C=20mA, f =100MHz	250			Megahertz
Tempo de atraso	t_d	VCC=30V, VBE (fora) =-2V IC=150mA, IB1=15mA			15	ns
Tempo de elevação	t_r				20	ns
Tempo de armazenamento	t_s	VCC=30V, IC=150mA IB1=IB2=15mA			225	ns
Tempo de queda	t_f				60	ns

Medido sob circunstâncias pulsadas, pulso width=300μs, dever cycle≤2%.

Characterisitics típico

Dimensões do esboço do pacote

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPOS		0,037 TIPOS
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 REFERÊNCIAS		0,022 REFERÊNCIAS
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Transistor de poder da ponta de MMBT4401 SOT-23 que comutam rapidamente a tensão baixa 6 V do emissor

Transistor de poder do Mosfet

Transistor de poder da ponta

Transistor de poder do silicone

Diodo de comutação duplo

Mos Field Effect Transistor

Mosfet de duplo canal

Diodo de retificador rápido da recuperação

Diodo de Zener do poder

Retificador de ponte de Schottky

Diodo de retificador de alta tensão

Triode do semicondutor

Estabilizador IC da tensão

Transistor de poder da ponta de MMBT4401 SOT-23 que comutam rapidamente a tensão baixa 6 V do emissor

Marcação: 2X

iridium spark plug k7rti

tip122 transistor equivalent

tip 31 transistor