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2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :2SA1015
Nome do produto :tipo do triode do semicondutor
Aplicação :a fonte de alimentação móvel conduziu o motorista/controlo do motor
Materiais :silício
tensão da Emissor-base :6v
Processo :Fita/bandeja/carretel
VCBO :-50V
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 2SA1015 (PNP)

 

 

 

CARACTERÍSTICA

Dissipação de poder de Ÿ

 

 

 

MARCAÇÃO

Código de A1015=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

Y=Rank do hFE, XXX=Code

2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
2SA1015 TO-92 Volume 10000
2SA1015-TA TO-92 Fita 2000

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Medidor de Para Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -50 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -50 V
VEBO Tensão da Emissor-base -5 V
MIMC Corrente de coletor - contínua -150 miliampère
PD Dissipação de poder do coletor 400 mW
R0 JA O Thermal resiste o ance da junção a ambiental 312 Š/W
Tj Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura do orage do St -55 ~+150 Š

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC= -100ΜA, ISTO É =0 -50     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MIMC= -0.1MA, IB=0 -50     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = -100ΜA, IC=0 -5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= -50V, ISTO É =0     -0,1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= -50V, IB=0     -0,1 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= -5V, IC=0     -0,1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= -6V, IC= -2MA 70   700  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC= -100MA, IB= -10MA     -0,3 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC= -100MA, IB= -10MA     -1,1 V
Frequência da transição fT VCE= -10 V, IC= -1mA f =30MHz 80     Megahertz
Capacidade de saída do coletor Espiga VCB=-10V, ISTO É =0, f=1MHz     7 PF
Figura de ruído N-F VCE= -6 V, IC= -0.1mA, f =1kHz, RG=10kK     6 DB

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Grau O Y GR BL
Escala 70-140 120-240 200-400 350-700

 
 
Características típicas
 
2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

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2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP


 
 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada
 
2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP


Disposição sugerida TO-92 da almofada
2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

 

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

2SA1015 interruptor do transistor do poder superior PNP, circuito do transistor da ponta PNP

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