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Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :3DD13003
Collector-Base Voltage :700v
Collector-Emitter Voltage :400v
Collector Current -Continuous :1.5a
Product name :semiconductor triode type
Collector Power Dissipation :2w
Type :Triode Transistor
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TO-220-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13003 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

· aplicações do interruptor do poder

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 700 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 400 V
VEBO Tensão da Emissor-base 9 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 1,5 A
PC Dissipação de poder do coletor 2 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro

Símbolo

Ymbol de S

Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC =5MA, ISTO É =0 700     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=10mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =2MA, IC=0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=700V, ISTO É =0     1 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=400V, IB=0     0,5 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=9V, IC=0     1 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE1 VCE=5V, IC= 0,5 A 8   40  
  hFE2 VCE=5V, IC= 1.5A 5      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC=1A, IB=0.25A     0,6 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC=1A, IB=0.25A     1,2 V
Frequência da transição fT VCE=10V, Ic=100mA, f =1MHz 5     Megahertz
Tempo de queda tf MIMC=1A, IB1=-IB2=0.2A, VCC=100V     0,5 µs
Tempo de armazenamento tS MimC=250mA (UI9600) 2   4 μs

 

 

CLASSIFICAÇÃO de hFE1

Escala 8-10 10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

CLASSIFICAÇÃO dos tS

 

Grau A1 A2 B1 B2
Escala 2-2.5 (μs) 2.5-3 (μs) 3-3.5 (μs) 3.5-4 (μs 

 
 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Circuito do transistor de 3DD13003 NPN, tensão 400V do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

 

 

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